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產品類別	型號	產品描述
其他化合物半導體	InAs	可用于制作波長2——12μm的紅外發光器件及中紅外量子級聯激光器。這些紅外器件在氣體檢測、低損耗光纖通信領域有良好的應用前景。
其他化合物半導體	InP	具有電子極限漂移速度高、耐輻射性好、導熱好的優點。適用于制造高頻、高速、大功率微波器件和集成電路。
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